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- 型号： SKB02N60E3266ATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SKB02N60E3266ATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SKB02N60E3266ATMA1价格参考。InfineonSKB02N60E3266ATMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SKB02N60E3266ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SKB02N60E3266ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SKB02N60E3266ATMA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、2A高压超结MOSFET（非IGBT），采用SOT-223封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.8Ω @ VGS=10V）、快速开关特性及高dv/dt抗扰能力。其典型应用场景包括： 1. 小功率离线式开关电源：如手机充电器、LED驱动电源、辅助电源（Auxiliary Supply）中的初级侧开关； 2. 家电控制电路：空调、洗衣机等设备中用于继电器/电磁阀驱动、电机启动控制等中低电流开关场合； 3. 工业与照明系统：智能LED调光驱动、小型DC-DC转换器、PLC输入级隔离驱动等对成本、尺寸和效率有平衡要求的场景； 4. 电池管理系统（BMS）保护电路：作为充放电路径中的单向开关或过压保护开关元件。 该器件不适用于大电流（>3A）或高频（>500kHz）主功率变换，亦非IGBT（注意型号命名中“E”代表Enhancement-mode MOSFET，“3266”为封装代码，非IGBT系列）。其SOT-223封装便于手工焊接与紧凑布局，适合空间受限的消费类及工业嵌入式应用。实际使用需配合合理栅极驱动与PCB热设计，确保温升可控。
产品参数
图文手册
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