Datasheet下载- 型号： SIHW47N60EF-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHW47N60EF-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHW47N60EF-GE3价格参考。VishaySIHW47N60EF-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHW47N60EF-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHW47N60EF-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHW47N60EF-GE3是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。其600V的击穿电压和低导通电阻使其在高压应用中表现出色。 2. 电机驱动：可用于工业和消费类电机驱动应用，例如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机控制。其高电流处理能力和快速开关速度有助于提高效率并减少热量产生。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中使用，用于将直流电转换为交流电。其高耐压特性和低损耗特性非常适合这些应用。 4. 负载开关：在需要高效负载开关的应用中，如服务器、电信设备和数据中心电源管理中，该MOSFET可以提供快速响应和低功耗。 5. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）和储能系统中，用于电池保护和能量管理。其坚固的设计和高可靠性确保了在严苛环境下的稳定运行。 6. 电磁兼容性（EMI）滤波器：由于其快速开关特性和低栅极电荷，该器件有助于减少开关噪声，从而改善系统的EMI性能。 总之，SIHW47N60EF-GE3凭借其高电压承受能力、低导通电阻和快速开关速度，非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHW47N60EF-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4854pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 67 毫欧 @ 24A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 功率-最大值 | 379W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
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