Datasheet下载- 型号： SIE726DF-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE726DF-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE726DF-T1-E3价格参考。VishaySIE726DF-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE726DF-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE726DF-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE726DF-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型封装（PowerPAK SC-70），适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源开关或负载开关，实现低功耗管理和电池节能。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器中用作同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；也可用于电压反转电路或电源路径控制。 3. 电池供电系统：适用于电池保护电路（如过流、过压保护），因其低导通电阻（RDS(on)）可减少功率损耗，延长电池续航。 4. 信号开关应用：可用于音频、数据线路中的模拟开关，实现信号通断控制，得益于其快速开关特性和低漏电流。 5. 消费类电子与物联网设备：如无线模块、传感器节点、智能家居设备等，满足高密度布局和高效能需求。 SIE726DF-T1-E3 具有低阈值电压、高可靠性及优良的热性能，适合需要小型化、高效率和稳定工作的场景。其符合RoHS标准，支持无铅焊接，适用于现代绿色电子产品制造。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIE726DF-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SkyFET®， TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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