图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SIB419DK-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIB419DK-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIB419DK-T1-GE3价格参考。VishaySIB419DK-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIB419DK-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIB419DK-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIB419DK-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 562pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.82nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L 单 |
| 其它名称 | SIB419DK-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 13.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
推荐商品
(SN).jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
SIB419DK-T1-GE3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商