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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8261BCD-C-ISR由Silicon Laboratories设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8261BCD-C-ISR价格参考。Silicon LaboratoriesSI8261BCD-C-ISR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8261BCD-C-ISR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8261BCD-C-ISR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Silicon Labs 的 SI8261BCD-C-ISR 是一款高性能的双通道数字隔离栅极驱动器,广泛应用于需要电气隔离和高可靠性的功率电子系统中。该器件采用电容隔离技术,提供 5 kVRMS 的隔离耐压和出色的抗噪声能力,适用于工业自动化、电机控制、开关电源(SMPS)、光伏逆变器和电动汽车充电设备等场景。 SI8261BCD-C-ISR 支持最大 4 A 的峰值输出电流,具备快速传播延迟(典型值 60 ns)和高共模瞬态抗扰度(CMTI > 100 kV/μs),可确保在高频开关环境下稳定驱动 MOSFET 和 IGBT 功率器件。其双通道独立设计支持高低边驱动或并联配置,适合半桥、全桥等拓扑结构。 由于集成欠压锁定(UVLO)保护和宽工作温度范围(-40°C 至 +125°C),该芯片在恶劣工业环境中表现出色。同时,SOP-16 封装便于 PCB 布局,提升系统可靠性。常用于伺服驱动器、UPS 不间断电源、工业变频器以及新能源发电系统中的功率转换模块,是实现高效、安全隔离驱动的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器 |
| 描述 | IC ISO DRIVER 5KV 1CH 4A 6SOIC |
| 产品分类 | 光隔离器 - 栅极驱动器 |
| 品牌 | Silicon Laboratories Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI8261BCD-C-ISR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 上升/下降时间(典型值) | 5.5ns, 8.5ns |
| 传播延迟tpLH/tpHL(最大值) | 60ns, 50ns |
| 供应商器件封装 | 6-SDIP |
| 共模瞬态抗扰度(最小值) | 35kV/µs |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 技术 | 容性耦合 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-正向(Vf)(典型值) | 2.8V (最小值) |
| 电压-电源 | 5 V ~ 30 V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 30mA |
| 电流-峰值输出 | 4A |
| 电流-输出高,低 | 500mA, 1.2A |
| 脉宽失真(最大) | 10ns (标准) |
| 认可 | CQC, CSA, UR, VDE |
| 通道数 | 1 |