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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI4776DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4776DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4776DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4776DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4776DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4776DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.9 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si4776DY-T1-GE3 |
| 产品型号 | Si4776DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.1 W |
| Pd-功率耗散 | 4.1 W |
| Qg-GateCharge | 11.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 13 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11.9 A |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 零件号别名 | SI4776DY-GE3 |
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