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- 型号： SI4467DY
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4467DY由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4467DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI4467DY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4467DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4467DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI4467DY 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SO-8 封装，典型参数包括：VDS = –60 V，ID = –5.3 A（连续），RDS(on) ≈ 55 mΩ（VGS = –10 V），具备低导通电阻与快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ 电源管理中的高边/低边开关：常用于 DC-DC 转换器（如同步降压转换器的下管）、负载开关及电源排序电路； ✅ 电池保护与电源路径管理：在便携设备（如笔记本电脑、工业手持终端）中，用于反向电流阻断、电池充放电控制及热插拔保护； ✅ 电机驱动与继电器替代：适用于小功率直流电机（如风扇、泵）的 H 桥或单路驱动，实现高效、静音的 PWM 控制； ✅ LED 驱动与背光控制：作为恒流源开关或调光开关，支持高效率、低发热的 LED 电流控制； ✅ 工业控制接口：用于 PLC 输入/输出模块、传感器信号切换等需耐压与可靠关断能力的场合。 该器件具备雪崩额定能力（UIS）、低栅极电荷（Qg ≈ 12 nC），利于高频开关并降低驱动损耗；SO-8 封装兼顾散热与PCB空间，适合紧凑型设计。注意其为 P 沟道，通常用于高侧开关或逻辑电平兼容（如配合 3.3V/5V MCU 直接驱动）场景，使用时需确保栅源电压满足阈值（VGS(th) ≈ –1V 至 –2.5V）及足够负压以充分导通。
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