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  • 型号: SGP23N60UFTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGP23N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP23N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP23N60UFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGP23N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGP23N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGP23N60UFTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET类别。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用。

其主要应用场景包括:

1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效电源适配器中,作为开关元件,提高转换效率并减小体积。

2. DC-DC转换器:在各类电子设备的电源模块中,用于实现不同电压等级之间的高效转换,尤其适用于高频率开关应用。

3. 电机控制与驱动:在小型电机控制电路中,如电动工具、风扇、泵类设备中,作为功率开关使用,具备良好的导通损耗和开关损耗特性。

4. 照明系统:如LED驱动电源中,用于提升能效和稳定性,尤其适用于高亮度LED照明应用。

5. 工业自动化设备:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC、传感器供电模块等,具备较高的可靠性和耐用性。

该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(600V)和良好热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率和稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

17ns/60ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

92A

描述

IGBT 600V 23A 100W TO220-3IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

-

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGP23N60UFTU-

数据手册

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产品型号

SGP23N60UFTU

SwitchingEnergy

115µJ (开), 135µJ (关)

TestCondition

300V, 12A, 23 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,12A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

100W

功率耗散

100 W

包装

管件

单位重量

1.800 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

23 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 100 nA

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

23A

系列

SGP23N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

集电极最大连续电流Ic

23 A

零件号别名

SGP23N60UFTU_NL

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