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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SGP23N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP23N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP23N60UFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGP23N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGP23N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGP23N60UFTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET类别。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效电源适配器中,作为开关元件,提高转换效率并减小体积。 2. DC-DC转换器:在各类电子设备的电源模块中,用于实现不同电压等级之间的高效转换,尤其适用于高频率开关应用。 3. 电机控制与驱动:在小型电机控制电路中,如电动工具、风扇、泵类设备中,作为功率开关使用,具备良好的导通损耗和开关损耗特性。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,用于提升能效和稳定性,尤其适用于高亮度LED照明应用。 5. 工业自动化设备:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC、传感器供电模块等,具备较高的可靠性和耐用性。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(600V)和良好热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 17ns/60ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 92A |
| 描述 | IGBT 600V 23A 100W TO220-3IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGP23N60UFTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SGP23N60UFTU |
| SwitchingEnergy | 115µJ (开), 135µJ (关) |
| TestCondition | 300V, 12A, 23 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,12A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 23 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 23A |
| 系列 | SGP23N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 23 A |
| 零件号别名 | SGP23N60UFTU_NL |