【未分类_SGH20N120RUFDTU】封装/厂家_SGH20N120RUFDTU中文资料_价格

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型号： SGH20N120RUFDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SGH20N120RUFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH20N120RUFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH20N120RUFDTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SGH20N120RUFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGH20N120RUFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGH20N120RUFDTU 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的1200V、20A高速沟槽栅场截止型IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），采用TO-247AD封装，内置快速软恢复反并联二极管（FREDFET特性），具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.1V @ 20A）、短开关时间及优异的短路耐受能力（典型10μs）。

典型应用场景包括：  
• 工业变频器与伺服驱动器中的逆变级，用于控制三相电机的高效调速；  
• 感应加热电源（如电磁炉、金属热处理设备）的高频（20–50kHz）谐振逆变电路；  
• 不间断电源（UPS）和光伏逆变器的DC-AC转换环节，兼顾效率与可靠性；  
• 焊接设备（如IGBT逆变焊机）中要求高动态响应与过载能力的主开关器件；  
• 电动汽车车载充电机（OBC）或辅助电源模块（APM）中的PFC升压与DC-DC隔离变换。

该器件特别适用于需兼顾高电压、中等电流、较高开关频率（≤30kHz）及低电磁干扰（EMI）的设计，其优化的开关轨迹与内置二极管可简化外围吸收电路，提升系统功率密度与能效。注意：实际应用中需配合合理驱动（如±15V栅极电压、足够峰值驱动电流）及散热设计，以确保长期稳定运行。

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