【未分类_SFT1458-TL-H】封装/厂家_SFT1458-TL-H中文资料_价格

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型号： SFT1458-TL-H
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1458-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1458-TL-H价格参考。ON SemiconductorSFT1458-TL-H封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SFT1458-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFT1458-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SFT1458-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（如SO-8或类似），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约2.8mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达60A）及快速开关特性。其主要应用场景包括：

- DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升；  
- 电机驱动：适用于中小功率有刷/无刷直流电机控制（如风扇、泵、电动工具驱动模块）中的H桥或半桥下管；  
- 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、平板、嵌入式系统中用作主电源路径开关、热插拔保护或电池充放电路径控制；  
- LED驱动与照明电源：作为恒流调光或PWM调光的高速开关元件；  
- 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（需确认具体批次认证），可用于车身控制模块（BCM）、车窗升降、座椅调节等12V系统中的功率开关。

该器件具备良好的雪崩耐受能力与ESD防护，配合优化的栅极电荷（Qg低），利于高频高效设计。选型时需注意PCB散热设计及驱动电路匹配，以充分发挥其性能优势。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	1 A
Id-连续漏极电流	1 A
品牌	ON Semiconductor
产品目录	半导体
描述	MOSFET N-CH Pwr MOSFET 600V 1.0A
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	否
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor SFT1458-TL-H
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	SFT1458-TL-H
Pd-PowerDissipation	1 W
Pd-功率耗散	1 W
Qg-GateCharge	3.8 nC
Qg-栅极电荷	3.8 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	13 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	13 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	11 ns
下降时间	60 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	12 ns
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	700
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	0.57 S
系列	SFT1458
配置	Single