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Datasheet下载- 型号： SE1470-004L
- 制造商： Honeywell Solid State Electronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SE1470-004L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SE1470-004L由Honeywell Solid State Electronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SE1470-004L价格参考。Honeywell Solid State ElectronicsSE1470-004L封装/规格：红外，UV，可见光发射器， Infrared (IR) Emitter 880nm 1.8V 50mA 1.65mW/cm² @ 20mA 24° Coaxial, Metal Can。您可以下载SE1470-004L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SE1470-004L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Honeywell Sensing and Productivity Solutions的型号SE1470-004L属于红外、UV、可见光发射器类别，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 条码扫描设备 - SE1470-004L广泛应用于手持式或固定式条码扫描器中，用于生成光源以照射条码。该型号的红外光源能够有效读取一维和二维条码，适用于零售、物流、仓储等领域的自动化数据采集。 2. 工业自动化 - 在工业自动化领域，该产品可用于传感器系统中的物体检测、位置感应或距离测量。例如，在生产线上传感器需要通过红外光源来判断物体是否存在或是否处于正确位置。 3. 安全与监控 - 红外发射器在夜视摄像头和安全监控系统中发挥重要作用。SE1470-004L可以为低光照条件下的图像捕捉提供必要的红外照明，确保即使在完全黑暗的环境中也能实现清晰成像。 4. 医疗设备 - 医疗领域中，该型号可能被用于非接触式生命体征监测（如脉搏血氧仪）或其他需要精确光学信号传输的应用场景。其稳定的性能和高可靠性满足了医疗设备对精度的要求。 5. 消费电子产品 - 某些消费类电子设备（如遥控器、智能家居控制器）也可能会采用类似的红外发射技术。SE1470-004L凭借其高效能设计，能够在这些设备中实现远程控制功能。 6. 科学研究与开发 - 实验室环境中，这种类型的发射器可用于光谱分析、材料特性研究等领域，帮助科学家们探索物质在不同波长下的反应特性。 总之，SE1470-004L凭借其出色的稳定性和适应性，在多个行业中都有着广泛而重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE IR EMITTING ALGAAS COAX PK红外发射源 1.8V 20mA Infrared Diode |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Honeywell Sensing and Control |
| 产品手册 | http://sensing.honeywell.com/index.cfm?ci_id=140301&la_id=1&pr_id=131416 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 红外发射源,Honeywell SE1470-004L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SE1470-004L |
| 上升时间 | 0.7 us |
| 下降时间 | 0.7 us |
| 不同If时的辐射强度(Ie)（最小值） | 1.65mW/cm² @ 20mA |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Infrared Sensors |
| 其它名称 | 480-1978 |
| 功率额定值 | 75 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Honeywell |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 同轴，金属罐 |
| 封装/箱体 | Metal Can |
| 射束角 | 24 deg |
| 显示角 | 24 deg |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压 | 1.8 V |
| 正向电流 | 20 mA |
| 波长 | 880nm |
| 照明颜色 | Infrared |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.8V |
| 电流-DC正向(If) | 50mA |
| 视角 | 24° |
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PDF Datasheet 数据手册内容提取
SE1470 AlGaAs Infrared Emitting Diode FEATURES • Compact metal can coaxial package • 24¡ (nominal) beam angle • 880 nm wavelength • Higher output power than GaAs at equivalent drive currents • Wide operating temperature range ( 55¡C to +125¡C) • Mechanically and spectrally matched to SD1420 photodiode, SD1440 phototransistor and SD1410 photodarlington INFRA-63.TIF DESCRIPTION OUTLINE DIMENSIONSin inches (mm) The SE1470 is a high intensity aluminum gallium Tolerance 3 plc decimals ±0.005(0.12) arsenide infrared emitting diode mounted in a glass 2 plc decimals ±0.020(0.51) lensed metal can coaxial package. The package may have a tab or second lead welded to the can as an optional feature (SE1470-XXXL). Both leads are flexible SE1470-XXX and may be formed as required to fit various mounting .091(2.26) configurations. These devices typically exhibit 70% CATHODE (CASE) greater power intensity than gallium arsenide devices at ANODE the same forward current. .020(0.51) DIA .062(1.57) DIA ..007769((12..9031)) DIA .010(0.25) .095(2.41)DIA .122(3.10) .106(2.69) 1.000(25.40) MIN DIM_001a.ds4 SE1470-XXXL .091(2.26) .020 (0.51)DIA CATHODE ~~ ANODE ~~ .020 .062(1.57) DIA ~~ (0.51)DIA ..007769((12..9031)) DIA .010(0.25) .095(2.41) .122(3.10) .106(2.69) 1.000(25.40) TYPICAL MIN DIM_001b.ds4 h Honeywell reserves the right to make 12 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SE1470 AlGaAs Infrared Emitting Diode ELECTRICAL CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SCHEMATIC (25¡C Free-Air Temperature unless otherwise noted) Continuous Forward Current 50 mA Power Dissipation 75 mW [À] Operating Temperature Range -55¡C to 125¡C Storage Temperature Range -65¡C to 150¡C Soldering Temperature (10 sec) 260¡C Notes 1. Derate linearly from 25¡C free-air temperature at the rate of 0.71 mW/¡C. Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 13 supply the best products possible.
SE1470 AlGaAs Infrared Emitting Diode Fig. 1 Radiant Intensity vs Fig. 2 Radiant Intensity vs Angular Displacement gra_007.ds4 Forward Current gra_008.ds4 1.0 y 1.0 0.9 its 0.9 n liiit tt vsyeaenenR 0000000.......2345678 liii rt tzaedadannem 0000000.......2345678 0.1 ro 0.1 N 0.0 0.0 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 0.0 4.0 8.0 12.0 16.0 20.0 Angular displacement - degrees Forward current - mA Fig. 3 Forward Voltage vs Fig. 4 Forward Voltage vs Forward Current gra_201.ds4 Temperature gra_202.ds4 1.6 1.6 V 1.5 V 1.5 -ge 1.4 -ge 1.4 a a ltvo 1.3 ltvo 1.3 d d raw 1.2 raw 1.2 IF = 20 mA ro ro F 1.1 F 1.1 1.0 1.0 0 10 20 30 40 50 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Forward current - mA Temperature - °C Fig. 5 Spectral Bandwidth Fig. 6 Coupling Characteristics gra_011.ds4 with SD1440 gra_012.ds4 1.0 1.0 0.9 t n itt synen 000...678 t rrcghue 00..68 liit veae 000...345 lili zaed 0.4 R 0.2 rom 0.2 0.1 N 0.0 0.0 760 800 840 880 920 960 1000 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 Wavelength - nm Lens-to-lens seperation - inches h Honeywell reserves the right to make 14 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SE1470 AlGaAs Infrared Emitting Diode Fig. 7 Relative Power Output vs Free Air Temperature gra_130.ds4 10 tu 5.0 p tou 2.0 IF = 40 mA r poew 1.0 IF =IF 3 =0 2m0A mA e 0.5 v ita IF = 10 mA le 0.2 R 0.1 -50 -25 0 +25 +50 +75 +100 T - Free-air temperature - (°C) A All Performance Curves Show Typical Values Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 15 supply the best products possible.