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  • 型号: SDP8406-004
  • 制造商: Honeywell Solid State Electronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SDP8406-004由Honeywell Solid State Electronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SDP8406-004价格参考。Honeywell Solid State ElectronicsSDP8406-004封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SDP8406-004参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SDP8406-004 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

传感器,变送器光电子产品

描述

PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1光电晶体管 Silicon PhotoTransis

产品分类

光学传感器 - 光电晶体管光学探测器和传感器

品牌

Honeywell

产品手册

http://sensing.honeywell.com/product%20page?pr_id=40526

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

光电晶体管,Honeywell SDP8406-004-

数据手册

http://sensing.honeywell.com/index.php/ci_id/47913/la_id/1/document/1/re_id/0点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SDP8406-004

上升时间

15 us

下降时间

15 us

产品

Phototransistors

产品种类

光电晶体管

功率-最大值

100mW

商标

Honeywell

安装类型

通孔,直角

封装/外壳

径向

最大功率耗散

100 mW

最大工作温度

+ 85 C

最大暗电流

100 nA

最小工作温度

- 40 C

朝向

侧视图

标准包装

1

波长

880 nm

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-暗(Id)(最大值)

100nA

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

类型

Photodetector Transistors

视角

50°

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—射极击穿电压

30 V

集电极—射极饱和电压

0.4 V

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