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Datasheet下载- 型号： SDP8405-014
- 制造商： Honeywell Solid State Electronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SDP8405-014产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SDP8405-014由Honeywell Solid State Electronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SDP8405-014价格参考。Honeywell Solid State ElectronicsSDP8405-014封装/规格：光学传感器 - 光电晶体管， Phototransistor 935nm Top View Radial。您可以下载SDP8405-014参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SDP8405-014 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Honeywell Sensing and Productivity Solutions的光学传感器 - 光电晶体管型号SDP8405-014，主要应用于需要高灵敏度、快速响应和精确检测的场景。以下是其典型应用场景： 1. 工业自动化 - 物体检测：用于生产线上的物体存在检测，例如检测产品是否到达指定位置。 - 液位监测：通过光电晶体管检测液体高度，适用于工业储罐或设备中的液位控制。 - 颜色和透明度检测：利用光的吸收和反射特性，检测材料的颜色或透明度。 2. 消费电子 - 接近感应：在智能手机、平板电脑等设备中，用于检测用户的手指或面部靠近屏幕的动作。 - 按键检测：替代机械开关，提供更长寿命和更高可靠性的触控按键解决方案。 3. 医疗设备 - 血液分析：在医疗仪器中，光电晶体管可用于检测血液样本的流量或颜色变化。 - 呼吸监测：通过检测光信号的变化，监测患者的呼吸频率和深度。 4. 汽车电子 - 车速传感器：用于检测车轮转速，为防抱死制动系统（ABS）提供数据支持。 - 座椅占用检测：通过光电传感器判断座椅上是否有乘客，从而调整安全气囊的触发逻辑。 5. 安防与监控 - 入侵检测：在安防系统中，光电晶体管可以检测光线被遮挡的情况，用于报警或触发录像功能。 - 门禁系统：用于检测人员或物体通过门口的动作。 6. 家用电器 - 洗衣机水位检测：通过光电传感器检测洗衣机内的水位，实现自动加水或排水功能。 - 打印机纸张检测：检测纸张是否存在以及是否卡纸，确保打印过程顺利进行。 SDP8405-014凭借其高性能和可靠性，适用于多种行业和领域，能够满足对精确性和稳定性的严格要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1光电晶体管 Silicon PhotoTrans T-1 Plastic Package |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Honeywell |
| 产品手册 | http://sensing.honeywell.com/product%20page?pr_id=40501 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光电晶体管,Honeywell SDP8405-014* |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://sensing.honeywell.com/index.php/ci_id/47913/la_id/1/document/1/re_id/0 |
| 产品型号 | SDP8405-014 |
| 上升时间 | 15 us |
| 下降时间 | 15 us |
| 产品 | Phototransistors |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 其它名称 | 480-1954 |
| 功率-最大值 | 70mW |
| 商标 | Honeywell |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 封装/箱体 | T-1 |
| 最大功率耗散 | 70 mW |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 880 nm |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-暗(Id)（最大值） | 100nA |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.85mA |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 视角 | 20° |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
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PDF Datasheet 数据手册内容提取
SDP8405 Silicon Phototransistor FEATURES • T-1 plastic package • 20¡ (nominal) acceptance angle • Consistent optical properties Wide sensitivity ranges • Mechanically and spectrally matched to SEP8505 and SEP8705 infrared emitting diodes INFRA-22.TIF DESCRIPTION OUTLINE DIMENSIONSin inches (mm) The SDP8405 is an NPN silicon phototransistor transfer Tolerance 3 plc decimals ±0.005(0.12) molded in a T-1 clear plastic package. Transfer molding 2 plc decimals ±0.020(0.51) of this device assures superior optical centerline performance compared to other molding processes. Lead lengths are staggered to provide a simple method .200(5.08) of polarity identification. .180(4.57) .03(.76) .020SQ.LEADTYP .05(1.27) (.51) COLLECTOR .050 (1.27) EMITTER .125(3.18) .115(2.92)DIA. .155 DIA. .500 (3.94) (12.7)MIN. .250 (6.35) MAX. DIM_100.ds4 h Honeywell reserves the right to make 116 changes in order to improve design and supply the best products possible. •
SDP8405 Silicon Phototransistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SCHEMATIC (25¡C Free-Air Temperature unless otherwise noted) Collector-Emitter Voltage 30 V Emitter-Collector Voltage 5 V Power Dissipation 70 mW [À] Operating Temperature Range -40¡C to 85¡C Storage Temperature Range -40¡C to 85¡C Soldering Temperature (5 sec) 240¡C Notes 1. Derate linearly from 25¡C free-air temperature at the rate of 0.18 mW/¡C. Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 117 supply the best products possible.
SDP8405 Silicon Phototransistor SWITCHING TIME TEST CIRCUIT SWITCHING WAVEFORM cir_015.cdr cir_004.cdr Fig. 1 Responsivity vs Fig. 2 Collector Current vs Angular Displacement gra_047.ds4 Ambient Temperature gra_039.ds4 1.0 2.0 0.9 e 0.8 ro 1.6 lit rvsseaeepon 00000.....34567 li lltzccaedoemt rrcuen 01..82 R 0.2 roN 0.4 0.1 0.0 0.0 -40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Angular displacement - degrees Ambient temperature - °C Fig. 3 Dark Current vs Fig. 4 Non-Saturated Switching Time vs Temperature gra_301.cdr Load Resistance gra_041.ds4 100 s µ - e m i te 10 s n o p s e R 1 10 100 1000 10000 Load resistance - Ohms h Honeywell reserves the right to make 118 changes in order to improve design and supply the best products possible.
SDP8405 Silicon Phototransistor Fig. 5 Spectral Responsivity Fig. 6 Coupling Characteristics gra_036.ds4 with SEP8505 gra_029.ds4 1.0 10 0.9 7 sspone 000...678 t -nAm 24 ITFVA =C =E 2 =25 5 5m °VCA lit rveaeeR 0000....2345 it rrcLghue 000...1247 0.1 0.1 400 600 800 1000 1200 0.01 0.02 0.04 0.1 0.2 0.4 0.7 1 Wavele ngth - nm Lens-to-lens separation - inches All Performance Curves Show Typical Values Honeywell reserves the right to make h changes in order to improve design and 119 supply the best products possible.