【未分类_SCH2806-TL-E】封装/厂家_SCH2806-TL-E中文资料_价格

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型号： SCH2806-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SCH2806-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH2806-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySCH2806-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SCH2806-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCH2806-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 SCH2806-TL-E 是一款 N 沟道增强型硅基射频（RF）MOSFET，专为高频、中功率射频放大应用优化。其典型应用场景包括：  
1. 蜂窝通信基础设施：用于 4G LTE 和 5G 小基站（Small Cell）、毫微微基站（Femtocell）中的末级驱动级或低功耗功率放大器（PA），工作频段覆盖 700 MHz 至 2.7 GHz；  
2. 无线宽带系统：适用于 WiMAX、WLAN（如 2.4 GHz/5 GHz 频段）前端模块中的线性放大器；  
3. 工业与物联网射频模块：在 RFID 读写器、智能电表、远程传感器等低功耗、高可靠性无线终端中用作射频开关或驱动放大器；  
4. 测试与测量设备：作为信号源或宽带放大器的增益级，得益于其良好的增益平坦度（约 15–18 dB @ 2.14 GHz）和高效率（典型 PAE >30%）。  

该器件采用小型表面贴装 SOT-363（SC-70）封装，集成ESD保护，具备低输入/输出电容（Ciss ≈ 1.8 pF, Coss ≈ 0.5 pF）、快速开关特性及良好热稳定性，适合空间受限、需高集成度的便携式或嵌入式射频设计。注意：不适用于大功率基站主放大器（需更高Pout），亦非逻辑电平开关器件，应配合匹配网络与偏置电路使用。

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