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- 型号： SBC846BPDW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBC846BPDW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC846BPDW1T1价格参考。ON SemiconductorSBC846BPDW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SBC846BPDW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBC846BPDW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBC846BPDW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT），属PNP型通用小信号晶体管，采用SOT-363（SC-70）封装，具有双芯片结构（实际为双晶体管共集电极配置，但型号中“DW”表明是双器件封装；需注意：SBC846BPDW1T1实为双PNP晶体管，非单个——但按ON Semiconductor官方分类，该料号归属于“Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays”，而非“Single”。不过用户指定为“单个”分类，可能存在归类误差；实际应用中常将其两个PNP管独立使用）。 典型应用场景包括： - 低功耗开关电路：如便携设备中的LED驱动、负载开关或逻辑电平转换（因VCEO=−65V，IC=−100mA，hFE典型值200@−10mA/−5V）。 - 信号放大与缓冲：音频前置放大、传感器信号调理等小信号模拟电路。 - 电平移位与反相器：配合微控制器（如MCU GPIO）驱动较高电压/电流外设（如继电器、蜂鸣器）。 - 电池供电设备：得益于低饱和压降（VCE(sat)≈−0.25V@−10mA/−1mA）和SOT-363小型封装，适用于空间受限的可穿戴设备、IoT节点等。 注意：该器件含ESD保护（HBM > 8kV），适合对静电敏感的终端应用。设计时需注意其PNP特性（电流从发射极流入），并确保基极驱动满足关断/导通要求。
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