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  • 型号: S1ZMMBZ27VALT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供S1ZMMBZ27VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 S1ZMMBZ27VALT1G价格参考。ON SemiconductorS1ZMMBZ27VALT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载S1ZMMBZ27VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有S1ZMMBZ27VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

S1ZMMBZ27VALT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款专用集成电路(ASIC),实为单向齐纳瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于ESD/浪涌保护类专用器件(常归类于“专用IC”或“保护器件”子类)。其核心参数:标称齐纳电压27 V(VZ = 27 V),低钳位电压,响应时间<1 ns,符合AEC-Q200车规级可靠性标准。

主要应用场景包括:  
- 汽车电子系统:用于车载信息娱乐(IVI)、车身控制模块(BCM)、ADAS传感器接口(如摄像头、雷达供电线)等24 V系统中,防护ISO 7637-2脉冲1/2a/3a及ISO 16750电源抛负载引起的瞬态过压;  
- 工业控制:PLC I/O端口、CAN总线收发器(如TJA1042)、RS-485通信线路的静电与浪涌防护;  
- 电源管理:DC-DC转换器输入端、电池管理系统(BMS)采样电路的过压箝位,防止27 V标称电源轨因反向电动势或开关噪声损坏后级IC;  
- 消费电子:高端打印机、POS终端等需高可靠性24 V供电接口的ESD防护(IEC 61000-4-2 ±30 kV空气放电)。

该器件采用SOD-123FL超小型封装,节省PCB空间,适用于紧凑型设计,且具备低漏电流(<1 μA @ 22.8 V)和高可靠性,特别适合对鲁棒性与长期稳定性要求严苛的车载及工业环境。
产品参数 图文手册 常见问题
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