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  • 型号: RW1S0BAR033FET
  • 制造商: Ohmite
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RW1S0BAR033FET由Ohmite设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1S0BAR033FET价格参考。OhmiteRW1S0BAR033FET封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RW1S0BAR033FET参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RW1S0BAR033FET 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ohmite RW1S0BAR033FET 是一款高精度、低阻值的表面贴装片式电流检测电阻器(Shunt Resistor),阻值为0.033Ω(33mΩ),公差±1%,额定功率1W,采用1206封装(3.2mm×1.6mm),具有低TCR(温度系数,典型值±50ppm/℃)和四端子(开尔文)结构设计(由型号中“FET”后缀可推断其适用于精密采样,实际需以官方规格书为准;注:Ohmite RW系列中,“FET”常指专为MOSFET/IGBT驱动或电流反馈优化的低电感、低热EMF版本)。

主要应用场景包括:  
- 电源管理系统:在DC-DC转换器、POL(负载点)模块中用于实时输出电流监测与过流保护;  
- 电机驱动与逆变器:在BLDC或步进电机驱动板中,串联于下桥臂或相线,实现高带宽、低干扰的相电流采样;  
- 电池管理(BMS):用于便携设备或轻型储能系统中的充放电电流精确计量与SOC估算;  
- 工业控制与PLC模块:在4–20mA环路、伺服驱动反馈回路中提供稳定可靠的电流传感;  
- LED恒流驱动:配合运算放大器构成闭环,保障多串LED电流一致性。

其低阻值、低热电动势及优异的长期稳定性,特别适合对测量精度、温漂和动态响应有较高要求的中低功率(≤10A)直流/脉冲电流检测场合。使用时建议采用开尔文布局布线,并注意散热与PCB铜箔温升影响。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电阻器

描述

RES 0.033 OHM 1W 1% SMD

产品分类

芯片电阻 - 表面安装

品牌

Ohmite

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

RW1S0BAR033FET

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

RW

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24653

产品目录绘图

供应商器件封装

SMD J 引线,基座

其它名称

RW1S0BAR033FETR

功率(W)

1W

包装

带卷 (TR)

大小/尺寸

0.246" 长 x 0.136" 宽(6.25mm x 3.45mm)

容差

±1%

封装/外壳

2512 J 形引线

成分

绕线

标准包装

2,000

温度系数

±90ppm/°C

特性

电流检测

电阻(Ω)

0.033

端子数

2

高度

0.141"(3.58mm)

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