Datasheet下载- 型号： RW1E025RPT2CR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RW1E025RPT2CR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1E025RPT2CR价格参考。ROHM SemiconductorRW1E025RPT2CR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RW1E025RPT2CR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RW1E025RPT2CR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RW1E025RPT2CR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT6封装（2.9mm × 2.8mm），具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.5mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID可达30A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小散热设计难度； - 电池管理系统（BMS）：适用于电动工具、两轮电动车及便携式储能设备中的充放电回路保护与主开关，兼顾低损耗与快速响应； - 电机驱动电路：在小型无刷直流（BLDC）电机控制中作为H桥下臂开关，支持高频PWM驱动（最高可达1MHz），降低开关损耗； - 负载开关与热插拔应用：凭借低RDS(on)和内置ESD防护（HBM ±2kV），可作为板级电源域的智能开关，实现浪涌抑制与过流保护。 该器件支持10V栅极驱动，兼容主流控制器，且TSMT6封装具备优良的焊盘散热设计，适合高密度PCB布局。不推荐用于线性区长时间工作或未加足够散热的持续大电流场景。
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