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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RTR011P02TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTR011P02TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR011P02TL价格参考。ROHM SemiconductorRTR011P02TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTR011P02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTR011P02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTR011P02TL 是罗姆（ROHM）出品的一款P沟道增强型MOSFET，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on) typ. 0.11Ω @ Vgs = –4.5V）、低阈值电压（Vth: –0.5V ~ –1.5V）及快速开关特性。其额定电压为–20V，连续漏极电流达–1.1A（Ta=25℃），适合低压、小功率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低Rds(on)减小功耗，延长续航； ✅ DC-DC转换器的同步整流：在降压（Buck）转换器中作为高边/低边开关，提升转换效率； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的背光调光或区域关断（Local Dimming）； ✅ 电机驱动（微型）：适用于振动马达、微型风扇等小电流直流电机的H桥或单向驱动； ✅ USB接口过流/反向保护：配合限流IC实现反向电压阻断和热插拔保护； ✅ IoT传感器节点的电源选通：由MCU GPIO直接驱动（因Vth较低，3.3V逻辑电平即可可靠导通），实现模块级休眠唤醒控制。 该器件无铅、符合RoHS，且内置ESD保护（HBM ±2000V），可靠性高，特别适用于对尺寸、能效与成本敏感的消费类及工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RTR011P02TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RTR011P02TLCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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