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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RTL030P02TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTL030P02TR价格参考¥0.85-¥1.17。ROHM SemiconductorRTL030P02TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RTL030P02TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTL030P02TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTL030P02TR 是罗姆(ROHM)半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET,采用小型表面贴装封装(SOT-23),具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 45 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低阈值电压(Vth ≈ −0.9 V至−1.5 V)及快速开关特性。其额定电压为−20 V,连续漏极电流达−3.0 A(Ta = 25°C),适合低压、中低功率应用。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备的负载开关:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电源管理模块,用于控制USB接口、传感器或LED等外设的供电通断,实现节能与防反接保护; ✅ 电池供电系统的反向电流保护:在单节锂电(2.5–4.2 V)系统中,作为理想二极管替代方案,防止电池在关机或充电时被反向放电; ✅ DC-DC转换器的同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑中,配合控制器驱动,提升轻载效率; ✅ H桥驱动的低端/高边开关:适用于微型电机(如振动马达、小风扇)或LED调光电路,尤其适配低驱动电压(如1.8 V/3.3 V MCU I/O直接驱动); ✅ 过流/短路保护电路:结合电流检测与逻辑控制,实现快速关断保护。 其超小尺寸(SOT-23)、无铅封装及AEC-Q200兼容性(部分批次),也支持消费类及车规级辅助电子模块(如车身控制、座椅调节)中的空间敏感型设计。需注意:使用时应确保栅极驱动稳定,避免振荡,并合理布局散热路径以维持性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RTL030P02TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
| 其它名称 | RTL030P02DKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |