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  • 型号: RTL030P02TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RTL030P02TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTL030P02TR价格参考¥0.85-¥1.17。ROHM SemiconductorRTL030P02TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RTL030P02TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTL030P02TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RTL030P02TR 是罗姆(ROHM)半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET,采用小型表面贴装封装(SOT-23),具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 45 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低阈值电压(Vth ≈ −0.9 V至−1.5 V)及快速开关特性。其额定电压为−20 V,连续漏极电流达−3.0 A(Ta = 25°C),适合低压、中低功率应用。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备的负载开关:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电源管理模块,用于控制USB接口、传感器或LED等外设的供电通断,实现节能与防反接保护;  
✅ 电池供电系统的反向电流保护:在单节锂电(2.5–4.2 V)系统中,作为理想二极管替代方案,防止电池在关机或充电时被反向放电;  
✅ DC-DC转换器的同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑中,配合控制器驱动,提升轻载效率;  
✅ H桥驱动的低端/高边开关:适用于微型电机(如振动马达、小风扇)或LED调光电路,尤其适配低驱动电压(如1.8 V/3.3 V MCU I/O直接驱动);  
✅ 过流/短路保护电路:结合电流检测与逻辑控制,实现快速关断保护。

其超小尺寸(SOT-23)、无铅封装及AEC-Q200兼容性(部分批次),也支持消费类及车规级辅助电子模块(如车身控制、座椅调节)中的空间敏感型设计。需注意:使用时应确保栅极驱动稳定,避免振荡,并合理布局散热路径以维持性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

RTL030P02TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

760pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

70 毫欧 @ 3A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

TUMT6

其它名称

RTL030P02DKR

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Ta)

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