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- 型号： RT1E040RPTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RT1E040RPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RT1E040RPTR价格参考。ROHM SemiconductorRT1E040RPTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RT1E040RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RT1E040RPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RT1E040RPTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（HSMT3，尺寸仅1.8×1.6×0.75 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 40 mΩ @ VGS=4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.1 nC）和快速开关特性。其额定电压为30 V，连续漏极电流达4.0 A（Tc=25°C），适合低压、中电流、高效率的电源管理场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器（如同步降压Buck电路的下管）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED恒流驱动或LCD/OLED显示屏背光调光开关，凭借低导通损耗提升能效与续航； ✅ 电机驱动模块：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； ✅ USB Type-C接口保护与供电切换：在PD协议电源路径管理中作为高效通断开关，满足小尺寸与低热耗要求； ✅ 工业与IoT传感器节点：用于MCU控制的外设供电启停，实现低功耗待机与快速唤醒。 其超小型HSMT3封装与无铅设计，特别适配高密度PCB布局与自动化贴片生产，兼顾性能、可靠性与成本。使用时需注意PCB散热设计（推荐敷铜面积≥10 mm²）及栅极驱动稳定性（建议VGS ≥ 4.5 V以确保充分导通）。
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