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- 型号： RSS130N03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS130N03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS130N03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS130N03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS130N03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS130N03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS130N03FU6TB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用超小型封装（如UFM或类似微型封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约13mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg约4.2nC）及快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达4.5A（Ta=25℃），适合中低功率、高密度应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或USB接口过流保护； ✅ DC-DC转换器：作为同步整流MOSFET用于降压（Buck）转换器次级侧，提升效率（尤其在1–5W级小功率电源模块中）； ✅ LED驱动电路：用于背光调光或RGB LED恒流控制中的开关元件； ✅ 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥低端开关（如微型无人机、玩具、家用小家电）； ✅ 热插拔/电源排序电路：凭借低阈值电压（Vgs(th)约1.0–2.0V）和优异的雪崩耐量，支持宽范围逻辑电平驱动（兼容1.8V/3.3V MCU GPIO直接驱动）。 其微型封装（UFM：1.2×1.2mm）特别适配空间受限的可穿戴与IoT终端设计，兼顾散热与PCB面积优化。需注意PCB布局时加强散热焊盘连接，并合理设计栅极驱动以抑制振铃。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS130N03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.1 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
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