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- 型号： RSS110N03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS110N03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS110N03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS110N03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS110N03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS110N03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS110N03FU6TB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-363/SC-70-6），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅11mΩ @ VGS=10V）、低栅极电荷（Qg≈4.5nC）和快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达2.5A（Ta=25℃），适合中低压、中小功率应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制及USB端口过流保护； ✅ DC-DC转换器：作为同步整流MOSFET或高边/低边开关，用于升压（Boost）、降压（Buck）及升降压（Buck-Boost）拓扑，提升转换效率与轻载性能； ✅ LED驱动电路：用于PWM调光控制的LED恒流驱动开关，尤其适用于背光驱动与微型RGB LED模块； ✅ 电机驱动：驱动小型直流有刷电机（如振动马达、风扇、微型泵），配合H桥半桥结构实现高效启停与调速； ✅ 热插拔与电源排序电路：利用其低阈值电压（VGS(th)≈1.0–2.2V）和快速响应能力，实现板级电源软启动与浪涌电流抑制。 该器件的小尺寸、高可靠性及符合AEC-Q101标准（部分批次），亦支持部分车载信息娱乐系统或车身电子辅助模块（如传感器供电开关）。需注意散热设计——在高电流下建议优化PCB铜箔面积以保障温升可控。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS110N03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.7 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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