Datasheet下载- 型号： RSS105N03TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS105N03TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS105N03TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS105N03TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS105N03TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS105N03TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS105N03TB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（TSON8），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.2mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及优异热性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的同步降压（Buck）转换器中，作为高侧或低侧开关，提升转换效率并减小发热。 2. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中的充放电控制开关，凭借低Rds(on)减少压降与功耗，延长续航并增强安全性。 3. 负载开关与电源路径管理：在USB供电、快充模块、多路电源切换等场景中实现高效、低损耗的电源通断控制。 4. 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元，尤其在无人机、智能家电、办公设备等对尺寸和能效要求严苛的场合。 5. LED驱动与照明控制：作为恒流源开关或PWM调光开关，支持高频调光且温升低。 该器件额定电压30V、连续漏极电流达60A（Tc=25℃），具备内置ESD保护与雪崩耐量，配合ROHM优化的栅极驱动兼容性，便于设计紧凑、高可靠性的中低压功率系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS105N03TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1130pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.7 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSS105N03TBCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Ta） |
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