Datasheet下载- 型号： RSJ650N10TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSJ650N10TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSJ650N10TL价格参考。ROHM SemiconductorRSJ650N10TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSJ650N10TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSJ650N10TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSJ650N10TL 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有100V耐压、65A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅8.5mΩ@Vgs=10V），并具备优异的开关速度与雪崩耐量。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：广泛用于工业/通信设备中的同步降压（Buck）转换器主开关或同步整流管，提升效率与功率密度； ✅ 电机驱动系统：适用于中小功率BLDC电机控制器（如风机、泵、电动工具）的H桥下臂或单相驱动开关，支持高频PWM控制； ✅ 电源适配器与服务器电源：作为AC-DC二次侧同步整流器件，显著降低导通损耗，满足高能效（如80 PLUS Titanium）要求； ✅ LED恒流驱动与智能照明系统：用于调光控制或大电流LED串的开关调节； ✅ 电池管理系统（BMS）与电子负载：承担充放电回路的主控开关或过流保护路径，凭借低Rds(on)减少发热，提高系统可靠性。 该器件支持10V标准栅极驱动，兼容主流PWM控制器，并具备良好的热性能（θjc=0.5℃/W），适合紧凑型散热设计。ROHM特有的“ trench-gate”结构保障了开关一致性与长期可靠性，适用于工业级（-40℃~+175℃结温）严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 65A LPTS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSJ650N10TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10780pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 供应商器件封装 | LPTS |
| 其它名称 | RSJ650N10TLDKR |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
RSJ650N10TL 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商