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- 型号： RSH125N03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSH125N03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSH125N03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRSH125N03TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSH125N03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSH125N03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSH125N03TB1是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220FP封装，具有30V耐压、125A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（典型值仅2.8mΩ）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，凭借低Rds(on)显著降低导通损耗，提升效率； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速，热性能稳定； 3. 电池管理系统（BMS）：作为充放电主控MOSFET或保护回路中的高侧/低侧开关，满足大电流通断与过流保护需求； 4. LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动电路的开关元件，兼顾高效率与散热可靠性； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次认证），可用于车载USB充电模块、座椅调节电机等12V系统中。 该器件具备优异的雪崩耐量与短路耐受能力，配合优化的栅极电荷（Qg≈70nC），利于驱动电路简化与EMI控制。实际应用中建议搭配合理散热设计（如PCB铜箔散热或小型散热片）以发挥其大电流优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSH125N03TB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1670pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSH125N03TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.5A （Ta） |
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