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Datasheet下载- 型号： RSH090N03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RSH090N03TB1产品简介：
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Rohm Semiconductor的RSH090N03TB1是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（如HSOP8），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=90A，脉冲可达360A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于无刷直流（BLDC）电机控制器中的H桥或半桥驱动级，支持高频PWM调制与高效能控制； 3. 负载开关与热插拔保护：凭借低Rds(on)和内置ESD防护，常用于主板/模块的电源轨管理，实现软启动与过流保护； 4. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电路径控制及短路保护电路； 5. LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动中作为主开关器件，兼顾效率与散热性能。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动（Vgs(th)典型值1.8V），具备良好的雪崩耐量与AEC-Q2（工业级）可靠性，适用于紧凑型、高功率密度设计。注意实际应用中需配合合理PCB布局（如大面积铜箔散热）、栅极驱动优化及热管理措施以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A SOP8MOSFET Nch 30V 9A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSH090N03TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSH090N03TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSH090N03TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
