Datasheet下载- 型号： RSD221N06TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD221N06TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD221N06TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD221N06TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSD221N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD221N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSD221N06TL是一款N沟道增强型功率MOSFET（单管），采用TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅22mΩ @ Vgs=10V）、60V耐压、连续漏极电流达4.5A（Tc=25℃）等特点。其优化的栅极电荷与开关特性，兼顾效率与响应速度。 该器件主要应用于中低功率、高效率的DC-DC电源转换场景，如： ✅ 车载电子系统：车载USB充电模块、LED车灯驱动、车身控制单元（BCM）中的负载开关； ✅ 工业与消费类电源：小型适配器、PoE受电设备（PD端）、智能电表电源管理、电机驱动（如小功率直流风扇/步进电机H桥侧开关）； ✅ 便携式设备：电池供电设备中的电池保护电路（过流/过放控制）、负载开关（用于系统级电源域上电时序管理）； ✅ LED照明驱动：恒流驱动电路中的同步整流或PWM调光开关。 其TSOP-6封装具备良好热性能与小尺寸优势，适合空间受限且需一定散热能力的PCB布局；符合AEC-Q101车载标准（部分批次），支持严苛环境应用。不适用于高频谐振变换器（如LLC主开关）或大电流硬开关场景（需并联或多管方案）。总体定位为高可靠性、中等功率、成本敏感型开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSD221N06TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 22A， 10V |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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