Datasheet下载- 型号： RS1E240BNTB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RS1E240BNTB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RS1E240BNTB价格参考。ROHM SemiconductorRS1E240BNTB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RS1E240BNTB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RS1E240BNTB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RS1E240BNTB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 240 mΩ @ VGS = 10 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.5 nC）及高开关效率等特点。其额定电压为30 V，连续漏极电流达0.2 A（Ta = 25°C），适合低压、小功率、空间受限的应用场景。 典型应用包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关； ✅ 电池供电系统保护与切换：用于锂电池充放电路径控制、电源多路选择（Power MUX）或反向电流阻断； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在微型升压/降压模块中提升转换效率； ✅ 信号开关与逻辑电平接口：在MCU或FPGA外围电路中实现GPIO扩展、传感器使能控制或I²C/SPI总线缓冲； ✅ 电机驱动辅助电路：用于小型振动马达、蜂鸣器或微步进电机的启停控制（非主驱，需配合驱动IC）。 该器件强调高可靠性、低功耗与小尺寸，适用于对PCB面积敏感、热设计受限且无需大电流输出的消费类和工业IoT终端。不适用于高功率开关、AC-DC主回路或高di/dt噪声敏感环境。选型时建议结合其SOA（安全工作区）及PCB散热能力进行热评估。
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