【未分类_RS1E180BNTB】封装/厂家_RS1E180BNTB中文资料_价格

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型号： RS1E180BNTB
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RS1E180BNTB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RS1E180BNTB价格参考。ROHM SemiconductorRS1E180BNTB封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RS1E180BNTB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RS1E180BNTB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RS1E180BNTB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 0.18Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg=1.8nC）及快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流ID为1.8A（Ta=25℃），适用于空间受限、中低功率的便携式电子设备。

典型应用场景包括：  
1. 便携式设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制、USB接口过流保护开关等；  
2. DC-DC转换器：作为同步整流开关或负载开关，用于升压/降压电路（如Boost LED驱动、PMIC后级负载开关），提升效率并减小PCB面积；  
3. 电池供电系统：在锂电池供电的IoT传感器节点、可穿戴设备中，用作电池充放电路径控制、负载切断（Load Switch）以降低待机功耗；  
4. 逻辑电平驱动电路：兼容1.8V/3.3V MCU GPIO直接驱动（Vgs(th)低至0.6V），无需额外驱动电路，简化设计。

其SOT-23封装便于自动化贴片，热性能适中，适合环境温度不极端（Ta ≤ 85℃）的消费类电子应用。需注意在持续高负载下合理布局散热焊盘以保障可靠性。

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