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- 型号： RRS090P03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRS090P03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRS090P03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRS090P03TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRS090P03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRS090P03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRS090P03TB1 是 ROHM（罗姆）生产的 P 沟道增强型 MOSFET，采用小型表面贴装封装（如 HSMT8 或类似），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 9.0 mΩ @ Vgs = –10 V）、额定电压 –30 V、连续漏极电流 –9 A（Tc = 25°C）。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于 DC-DC 转换器（如同步降压转换器的高边或低边开关）、负载开关（Load Switch），实现高效启停控制与反向电流阻断； 2. 电池供电设备：在便携式电子产品（如 TWS 耳机、智能手表、BLE 模块）中用作电池保护电路中的充放电控制开关或反接保护器件； 3. 电机驱动：适用于小功率直流电机（如微型风扇、振动马达）的 H 桥或单路驱动中的上桥臂开关； 4. LED 驱动：作为 LED 背光或指示灯的调光/开关控制元件，支持 PWM 调光； 5. 工业与消费类接口保护：用于 USB 接口、I/O 端口的过流/反向电压防护及热插拔控制。 该器件具备快速开关特性、低栅极电荷（Qg ≈ 11 nC）和内置 ESD 保护，适合高效率、小尺寸、高可靠性设计。注意其为 P 沟道结构，驱动逻辑与 N 沟道相反（低电平导通），常需搭配电平移位或专用驱动电路以优化性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RRS090P03TB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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