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- 型号： RRS075P03TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RRS075P03TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRS075P03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRS075P03TB1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RRS075P03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RRS075P03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRS075P03TB1 是 ROHM（罗姆）出品的一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用小型表面贴装封装（如 TSMT6），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 7.5 mΩ @ Vgs = –10 V）、额定电压 –30 V、连续漏极电流 –7 A（Tc = 25°C），具备内置 ESD 保护与快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS 耳机、智能手表）中的负载开关或电池保护电路，实现高效充放电路径控制与反向电流阻断； ✅ DC-DC 转换器：在同步降压（Buck）转换器中作为高边/低边开关（常配 N 沟道 MOSFET 构成半桥），提升转换效率与功率密度； ✅ LED 驱动与背光控制：用于中小功率 LED 灯组的 PWM 调光开关，响应快、损耗低； ✅ 电机驱动：适用于微型直流电机（如风扇、振动马达）的 H 桥或单向驱动中的上桥臂开关； ✅ 热插拔与电源排序电路：凭借低阈值电压（Vgs(th) ≈ –1.0 ~ –2.5 V）和稳定开关特性，支持低压逻辑（如 1.8 V / 3.3 V MCU）直接驱动，简化外围设计。 该器件强调小尺寸、高可靠性与低功耗，特别适合空间受限、对能效与瞬态响应要求较高的消费电子及工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RRS075P03TB1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Ta） |
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