Datasheet下载- 型号： RP1E100RPTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E100RPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E100RPTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E100RPTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1E100RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1E100RPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E100RPTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型TSMT6封装（2.9mm × 2.8mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅10mΩ @ VGS=4.5V）、高开关速度及优异的热性能。其额定参数为：VDSS=20V，ID=6A（连续），脉冲电流达24A，适合低压、中电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或USB接口过流/反向保护； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中替代肖特基二极管，提升效率（尤其在12V→3.3V/1.8V等低压大电流场景）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的LED阵列调光与开关控制； ✅ 电机驱动模块：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； ✅ 工业与IoT传感器节点：作为低功耗MCU外设的电源使能开关（Power Enable Switch），实现模块级休眠唤醒控制。 其小尺寸、低栅极电荷（Qg≈6.5nC）和兼容1.8V–4.5V逻辑电平的驱动特性，特别适合空间受限、电池供电且对能效敏感的嵌入式系统。需注意PCB布局时加强散热焊盘设计以保障持续6A电流下的温升可控。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6MOSFET Pch -30V -10A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RP1E100RPTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RP1E100RPTR |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E100RPCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | MPT-6 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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