Datasheet下载- 型号： RP1A090ZPTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1A090ZPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1A090ZPTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1A090ZPTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1A090ZPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1A090ZPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1A090ZPTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT6封装（2.0×2.0 mm），具有低导通电阻（RDS(on) typ. 9.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高阈值电压（Vth typ. 2.5 V）、强雪崩耐量及优异的开关性能。其额定参数为：VDSS = 30 V，ID = 12 A（连续），IDP = 48 A（脉冲），适合中低电压、中等电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：如同步降压（Buck）转换器中的高边/低边开关，尤其适用于便携式设备（智能手机、TWS耳机充电仓、智能手表）的PMIC外围电路； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于锂电池充放电保护电路中的充放电路径控制开关或过流保护开关； ✅ 电机驱动：驱动小型直流有刷电机或步进电机（如微型风扇、摄像头对焦模块、电子锁执行器）； ✅ LED驱动与背光控制：作为恒流源开关或PWM调光开关，适用于OLED/LCD显示屏背光模组； ✅ 负载开关（Load Switch）：替代传统机械开关或LDO，实现低功耗、快速启停的电源域管理（如USB外设供电控制、传感器模块上电时序控制）。 该器件具备优良的热性能与小尺寸优势，配合ROHM特有的低Qg（栅极电荷）设计，可显著降低开关损耗，提升系统能效与可靠性，广泛应用于对空间、效率和响应速度要求严苛的消费电子与工业嵌入式设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 9A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RP1A090ZPTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7400pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1A090ZPDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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