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  • 型号: RLZTE-119.1B
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-119.1B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-119.1B价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-119.1B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RLZTE-119.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RLZTE-119.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号RLZTE-119.1B属于齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压基准和电压调节等应用场景。该型号具有稳定且精确的齐纳电压,适用于以下常见场景:

1. 电压参考源:在模拟电路中为运算放大器、ADC/DAC等提供稳定参考电压。  
2. 过压保护电路:用于保护敏感电子元件,防止因电压过高而损坏。  
3. 电源稳压电路:在低成本线性稳压电路中作为稳压元件使用。  
4. 信号调节电路:用于限制信号幅度,确保后续电路工作在安全范围内。  
5. 嵌入式系统与消费电子:如智能手机、平板、家电控制板等对空间和稳定性有要求的场景。

该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 8.8V 500MW LLDS

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

RLZTE-119.1B

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 6V

供应商器件封装

LLDS

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±3%

封装/外壳

SOD-80C

工作温度

-

标准包装

2,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

8.8V

阻抗(最大值)(Zzt)

8 欧姆

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