Datasheet下载- 型号： RLZTE-117.5B
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RLZTE-117.5B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RLZTE-117.5B价格参考。ROHM SemiconductorRLZTE-117.5B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RLZTE-117.5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RLZTE-117.5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RLZTE-117.5B是一款单齐纳二极管，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电压稳压：RLZTE-117.5B可以用于电路中的电压稳压。齐纳二极管能够在反向击穿区工作时保持稳定的电压输出，适用于需要稳定电压的场景，例如为低功耗设备提供参考电压。 2. 过压保护：该型号可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。通过将齐纳二极管与被保护电路并联，当电压超过设定值时，齐纳二极管会导通以分流多余电流，从而保护下游电路。 3. 信号电平转换：在模拟和数字电路中，RLZTE-117.5B可以用来调整或限制输入信号的电平。例如，在音频电路或传感器接口中，它可以确保信号幅度不会超出预定范围。 4. 电源电路中的参考电压源：齐纳二极管常作为精密电源电路中的参考电压源。RLZTE-117.5B的齐纳电压为117.5V（典型值），适合用于高电压环境下的参考电压生成。 5. 浪涌抑制：在电力线或其他易受瞬态电压影响的环境中，RLZTE-117.5B可以吸收短暂的电压浪涌，保护后端电路不受损害。 6. 电机驱动和功率转换器中的应用：在工业控制和汽车电子领域，RLZTE-117.5B可用于电机驱动和功率转换器中，以稳定控制电压或抑制开关噪声。 总之，RLZTE-117.5B凭借其高齐纳电压和稳定性，适用于需要高电压稳压、保护和信号调节的各种工业和消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 7.3V 500MW LLDS |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RLZTE-117.5B |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 4V |
| 供应商器件封装 | LLDS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±3% |
| 封装/外壳 | SOD-80C |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
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