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  • 型号: RB050LA-30TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RB050LA-30TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RB050LA-30TR价格参考。ROHM SemiconductorRB050LA-30TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RB050LA-30TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RB050LA-30TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的二极管 - 整流器 - 单型号RB050LA-30TR是一款高效的整流二极管,具有低正向电压降(VF)和高浪涌电流能力的特点。以下是其主要应用场景:

 1. 电源电路中的整流
   - 该二极管适用于将交流电(AC)转换为直流电(DC)的整流电路中,例如开关电源(SMPS)、适配器或充电器。
   - 在桥式整流器中,RB050LA-30TR可以与其他二极管配合使用,完成全波整流功能。

 2. 逆变器与电机驱动
   - 在逆变器和电机驱动电路中,用于保护电路免受反向电动势的影响。
   - 其快速恢复特性和低损耗特性使其非常适合高频开关应用。

 3. 浪涌保护
   - RB050LA-30TR能够承受较高的浪涌电流(IFSM),因此在需要处理瞬态电压或电流冲击的场景中表现出色,例如汽车电子、工业设备等。

 4. 太阳能发电系统
   - 在光伏系统的旁路二极管中,用于防止电流反向流动,从而保护太阳能电池板免受损坏。
   - 确保在部分遮挡情况下,其他电池板不会因反向电流而过热。

 5. 消费类电子产品
   - 应用于电视、音响、家用电器等产品的电源模块中,提供稳定的直流输出。
   - 在USB充电器或其他小型电源适配器中,作为高效整流元件。

 6. 汽车电子
   - 在车载电子设备中,如导航系统、娱乐系统或LED照明电路中,用于整流和保护功能。
   - 其高可靠性和耐高温性能特别适合汽车环境。

 7. 工业控制
   - 在工业自动化设备中,用于信号隔离、功率转换或保护电路。
   - 例如,在PLC(可编程逻辑控制器)或传感器接口中,确保信号的准确传输。

 总结
RB050LA-30TR凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、工业控制、汽车电子以及消费类电子产品等领域。其低正向压降和高浪涌能力使其成为高性能整流应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDT肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 3A PMDT

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ROHM Semiconductor RB050LA-30TR-

数据手册

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产品型号

RB050LA-30TR

不同If时的电压-正向(Vf)

450mV @ 3A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

150µA @ 30V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Diodes

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

PMDT

其它名称

RB050LA-30DKR

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

-

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PMDT

封装/箱体

PMDT

峰值反向电压

30 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

150 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

70 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

0.45 V

正向连续电流

3 A

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/rohm/frd.html

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)

3A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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