Datasheet下载- 型号： R1LV1616RSD-7SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV1616RSD-7SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV1616RSD-7SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV1616RSD-7SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV1616RSD-7SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV1616RSD-7SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的R1LV1616RSD-7SI#S0是一款低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为16Mbit（1M x16），采用高速访问时间（7ns）设计，适用于对速度和稳定性要求较高的应用场合。 该器件主要面向工业自动化、通信设备、网络基础设施、测试测量设备及嵌入式系统等应用场景。例如，在工业控制中，用于缓存关键数据或程序指令，提升系统响应速度；在通信设备中，作为高速缓存支持数据包处理和转发；在网络设备中，用于实现快速数据缓冲和转发逻辑；在测试设备中，用于高速采集和暂存数据；在嵌入式系统中，作为主控芯片的外部存储器扩展，提升系统性能。 该SRAM支持低电压工作（通常为2.3V至3.6V），具备宽温工作范围（-40℃至+85℃），适用于各种恶劣工业环境。封装形式为TSOP，便于PCB布局和自动化生产，适合高可靠性与高性能并重的系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 16MBIT 70NS 52TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV1616RSD-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-TSOP II |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 16M（2M x 8，1M x 16） |
| 封装/外壳 | 52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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