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产品简介:
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Renesas Electronics America的R1LV1616RSD-5SI#S0是一款低功耗、高性能的16位异步静态随机存取存储器(SRAM),适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场景。其主要应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、自动化设备和工业计算机,用于高速缓存和临时数据存储。 2. 通信设备:用于路由器、交换机和基站等通信基础设施中,作为快速数据缓冲存储器,提升数据处理效率。 3. 汽车电子系统:符合工业级温度范围,适用于车载控制单元(ECU)、车载通信模块等对稳定性要求高的场景。 4. 测试与测量仪器:如示波器、信号发生器等精密仪器,用于高速数据采集与处理。 5. 嵌入式系统与物联网设备:用于边缘计算设备、智能网关等,支持实时数据处理与缓存。 该SRAM具备高速访问时间(55ns)、低功耗设计及工业级工作温度范围(-40℃至+85℃),适合在复杂环境中稳定运行,是高可靠性系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 16MBIT 55NS 52TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV1616RSD-5SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 52-TSOP II |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 16M(2M x 8,1M x 16) |
| 封装/外壳 | 52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |