Datasheet下载- 型号： R1LV1616RBG-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV1616RBG-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV1616RBG-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV1616RBG-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV1616RBG-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV1616RBG-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV1616RBG-7SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mb（64K × 16位），工作电压为2.2V–3.6V，访问时间典型值为7ns，采用54引脚TSOP II封装。 该器件主要面向对功耗敏感、需快速数据存取且空间受限的嵌入式应用场景。典型应用包括：工业控制设备（如PLC、HMI人机界面）中的缓存与临时数据缓冲；网络通信设备（如交换机、路由器）中的包缓冲与寄存器映射内存；汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示控制器等符合AEC-Q100 Grade 3（-40°C ~ +85°C）要求的车载子系统；以及医疗设备（如便携式监护仪）和消费类终端（高端打印机、POS机）中需要可靠、零等待状态读写操作的实时数据暂存场景。 其低功耗特性（待机电流低至1μA）和宽温范围支持，使其特别适用于电池供电或高温环境下的边缘计算节点。需注意：该型号已标注为“NRND”（Not Recommended for New Designs），瑞萨建议新设计选用其更先进的替代产品（如IS61WV系列或新型LPDDR/PSRAM方案），但现有产线仍可继续用于维护及成熟项目。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 16MBIT 70NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV1616RBG-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA （7.5x8.5） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 16M （1M x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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