Datasheet下载- 型号： R1LV0816ABG-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0816ABG-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0816ABG-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ABG-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0816ABG-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0816ABG-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America 的 R1LV0816ABG-7SI#B0 是一款低功耗、高性能的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），容量为 512K × 16 位（即 8 兆位），采用 54 引脚 TSOP II 封装，工作电压为 3.3V，访问时间典型值为 70 纳秒。该器件适用于对稳定性和实时性要求较高的嵌入式系统。 主要应用场景包括：工业自动化控制设备，如可编程逻辑控制器（PLC）和人机界面（HMI），用于快速数据缓存和实时处理；网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，作为高速数据缓冲存储器，保障通信流畅；医疗电子设备，如便携式监护仪和诊断仪器，利用其低功耗和高可靠性特性，确保长时间稳定运行；汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的控制单元，满足车规级温度范围与稳定性需求；此外，还广泛应用于测试测量仪器、消费类电子及智能终端设备中，作为主处理器或协处理器的外部高速存储扩展。 R1LV0816ABG-7SI#B0 凭借其宽工作温度范围（通常支持 -40°C 至 +85°C）、低功耗设计和高抗干扰能力，特别适合在严苛环境下的工业与车载应用中长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 70NS 48CSP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0816ABG-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-CSP（7.5x8.5） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA，CSPBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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