Datasheet下载- 型号： R1LV0808ASB-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0808ASB-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0808ASB-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0808ASB-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0808ASB-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0808ASB-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的R1LV0808ASB-5SI#B0是一款低功耗、高性能的静态随机存取存储器（SRAM），容量为8Mbit（512K x 16），采用异步设计，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。 该器件广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备、测试仪器和汽车电子系统中，例如用作微处理器或FPGA的高速缓存、数据缓冲存储器，或在需要实时数据处理的场景中提供快速数据存取支持。其异步接口设计使其适用于多种传统嵌入式系统架构。 该SRAM工作温度范围宽，符合工业级标准，适用于较为严苛的工作环境。R1LV0808ASB-5SI#B0采用小型封装，有助于节省PCB空间，适合高密度电路设计。 总之，该产品适用于对性能、功耗和可靠性有较高要求的嵌入式系统和工业应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0808ASB-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（1M x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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