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型号： R1LV0216BSB-5SI#B0
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0216BSB-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0216BSB-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0216BSB-5SI#B0封装/规格：未分类，暂无。您可以下载R1LV0216BSB-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0216BSB-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

R1LV0216BSB-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为256Kbit（32K × 8位），工作电压为2.2V–3.6V，访问时间典型值为55ns，采用SOIC-32封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并符合无铅（Pb-free）和RoHS标准。

该器件主要面向对可靠性、低功耗与中等速度有要求的嵌入式工业及通信应用。典型应用场景包括：工业控制设备（如PLC模块、人机界面HMI）中的缓存或临时数据缓冲；网络设备（如交换机、路由器、光模块）中的帧缓冲、配置寄存器备份或协议处理中间存储；医疗电子设备（如便携式监护仪）中需稳定运行且避免动态刷新的实时数据暂存；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）子模块等对温度适应性和长期供货稳定性要求较高的领域。

其无需刷新、零等待状态、快速读写及宽温特性，使其特别适用于需要确定性响应、低功耗待机或替代老式异步SRAM（如IS61LV256AL）的升级设计。不适用于大容量存储或需掉电数据保持场景（非EEPROM/Flash）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP
产品分类	存储器
品牌	Renesas Electronics America
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	R1LV0216BSB-5SI#B0
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	44-TSOP II
包装	托盘
存储器类型	SRAM
存储容量	2M （128K x 16）
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	1
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	55ns