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型号： R1LV0216BSB-5SI#B0
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0216BSB-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0216BSB-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0216BSB-5SI#B0封装/规格：未分类，暂无。您可以下载R1LV0216BSB-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0216BSB-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America的R1LV0216BSB-5SI#B0是一款低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为256K x 8位，访问时间仅为55ns，适用于对速度和功耗有较高要求的应用场景。

该SRAM芯片主要应用于以下领域：

1. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机和自动化系统，用于高速数据缓存和临时存储关键运行数据。

2. 通信设备：在网络交换机、路由器和基站控制器中，作为高速缓存存储器，提升数据处理效率。

3. 测试与测量仪器：如示波器、信号发生器等精密仪器，用于快速存储和读取采样数据。

4. 汽车电子系统：包括车载导航、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的图像处理模块，要求高可靠性和稳定性的场景。

5. 嵌入式系统：用于嵌入式控制器、图像处理模块和实时控制系统中，作为主存储器或高速缓存。

其低功耗特性使其适合电池供电或对热管理有要求的设计，而高速访问能力则保障了系统响应的实时性。适用于需要高性能、高稳定性和低功耗并存的中高端电子系统设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP
产品分类	存储器
品牌	Renesas Electronics America
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	R1LV0216BSB-5SI#B0
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	44-TSOP II
包装	托盘
存储器类型	SRAM
存储容量	2M （128K x 16）
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	1
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	55ns