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产品简介:
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Renesas Electronics America的R1LV0108ESF-7SI#S0是一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为1M x 8位(8Mb),采用3.3V供电,访问时间最快可达70纳秒。该器件适用于对稳定性和实时性要求较高的工业与通信领域。 典型应用场景包括:工业自动化控制系统中的缓存存储,用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和数据采集设备;网络通信设备如路由器、交换机中的临时数据缓冲;嵌入式系统中作为微控制器或DSP的外部高速存储扩展;以及医疗设备、测试仪器等需要可靠数据存储与快速响应的场合。 该型号采用小型化SOJ封装,适合空间受限但需高可靠性的设计环境。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)支持严苛工业环境下的稳定运行。R1LV0108ESF-7SI#S0凭借高可靠性、低功耗和良好的抗干扰能力,广泛应用于注重长期稳定性和性能的工业级电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV0108ESF-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP(8x20) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |