Datasheet下载- 型号： R1LV0108ESF-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0108ESF-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0108ESF-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0108ESF-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0108ESF-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0108ESF-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0108ESF-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），工作电压为3.3V，访问时间典型值为5ns，采用44引脚TSOP-II封装。 该器件主要面向对可靠性、低功耗和快速响应有较高要求的工业与嵌入式应用场景。典型应用包括：工业自动化控制设备（如PLC、HMI人机界面、运动控制器）中的缓存/临时数据存储；通信设备（如路由器、交换机、基站接口模块）中的帧缓冲或寄存器映射内存；汽车电子中符合AEC-Q100 Grade 3标准的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示控制器等（注：需确认具体批次是否通过车规认证，该型号标称工业级，-40°C ~ +85°C工作温度）；以及医疗设备（如便携式监护仪、影像前端处理单元）中需零等待状态、无刷新操作的实时数据暂存。 其低功耗特性（待机电流典型值仅1μA）适合电池供电或能效敏感系统；5ns访问速度满足DSP/FPGA协处理器对高速本地RAM的需求；TSOP封装便于高密度PCB布局。不适用于需掉电数据保持的场景（非NVSRAM），亦不支持动态刷新，故不可替代DRAM或Flash。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 55NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0108ESF-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP（8x20） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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