Datasheet下载- 型号： R1LV0108ESF-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0108ESF-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0108ESF-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0108ESF-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0108ESF-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0108ESF-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的R1LV0108ESF-5SI#B0是一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mbit（128K x 8），采用高性能的CMOS工艺制造，工作电压为3.3V。该型号具备高速访问时间（最高可达55ns），适用于对数据读写速度和稳定性要求较高的应用场景。 该SRAM芯片主要应用于以下领域： 1. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化系统等需要可靠、快速数据缓存的场合。 2. 通信设备：用于路由器、交换机、基站等通信设备中作为高速缓存或临时数据存储。 3. 测试与测量仪器：例如示波器、频谱分析仪等精密仪器，用于高速数据采集和处理。 4. 汽车电子系统：在车载控制系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）中提供快速数据存取支持。 5. 嵌入式系统：如医疗设备、智能终端等嵌入式产品中，作为主控芯片的外部存储扩展。 其高可靠性、低功耗及宽温范围设计，使其适用于多种恶劣环境下的稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 55NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0108ESF-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP（8x20） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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