Datasheet下载- 型号： R1LP5256ESP-7SR#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESP-7SR#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESP-7SR#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESP-7SR#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESP-7SR#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESP-7SR#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP5256ESP-7SR#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K × 8位（即4Mb），工作电压为3.3V，访问时间典型值为7ns，采用44引脚TSOP-II封装。 该器件主要面向对可靠性、低功耗和快速响应有较高要求的工业与嵌入式应用场景。典型应用包括：工业自动化控制器（如PLC、运动控制器）中的高速缓存或临时数据缓冲；通信设备（如路由器、交换机、基站基带单元）中用于帧缓存、FIFO或协议处理中间存储；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像处理模块）中需稳定运行与低功耗待机的实时数据暂存；以及汽车电子中的车载信息娱乐系统（IVI）或ADAS辅助模块中非易失性存储前的高速暂存环节（需配合EEPROM/Flash使用）。 其-40°C至+85°C宽温范围、低待机电流（典型值≤1μA）及符合JEDEC标准的高抗干扰能力，使其特别适用于恶劣环境下的长期稳定运行。需注意：该芯片为异步SRAM，不带内置电池或非易失性功能，断电后数据丢失，故不适用于需掉电保存的场景，常与主控MCU/DSP协同用于高速数据吞吐路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESP-7SR#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 70ns |
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