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产品简介:
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Renesas Electronics America 的 R1LP0108ESF-5SI#S0 是一款低功耗、高速的静态随机存取存储器(SRAM),属于其高性能SRAM产品线。该型号为 1M x 8 位(8Mb)容量,采用 44 引脚 SOJ 封装,工作电压为 3.3V,访问时间低至 55ns,具备稳定的读写性能和出色的抗干扰能力。 该SRAM主要应用于对数据处理速度和系统稳定性要求较高的工业与通信领域。典型应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)中的数据缓存;工业自动化控制系统中的实时数据存储与缓冲;测试测量仪器中用于快速采集和暂存数据;以及嵌入式系统中作为微处理器或DSP的外部高速内存扩展。 由于其可靠的性能和宽温工作范围(通常支持工业级温度 -40°C 至 +85°C),R1LP0108ESF-5SI#S0 特别适用于恶劣环境下的工业设备和通信基础设施。此外,该器件符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品设计需求。总体而言,这款SRAM在需要高可靠性、低延迟存储解决方案的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 55NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LP0108ESF-5SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP(8x20) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |