Datasheet下载- 型号： R1LP0108ESF-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP0108ESF-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP0108ESF-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP0108ESF-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP0108ESF-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP0108ESF-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP0108ESF-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），工作电压为3.3V，访问时间典型值为55ns，采用44引脚SOJ（Small Outline J-Lead）封装。 该器件主要面向工业控制、通信设备及嵌入式系统等对可靠性、稳定性和低功耗有较高要求的应用场景。典型应用包括：工业PLC（可编程逻辑控制器）中的数据缓存与临时寄存；网络交换机/路由器中的包缓冲、地址表暂存；医疗电子设备（如便携式监护仪）中实时数据采集的中间缓存；汽车电子中的车身控制模块（BCM）或仪表盘系统的非易失性辅助存储（需配合后备电源使用）；以及各类工控HMI（人机界面）和嵌入式微控制器（如瑞萨RX系列）的外部扩展RAM，用于提升系统运行效率。 其-40°C至+85°C宽温工业级工作范围、低待机电流（典型值＜1μA）及抗干扰设计，使其特别适用于严苛环境下的长期稳定运行。需注意：该SRAM为易失性存储器，断电后数据丢失，若需数据保持，须外加电池或超级电容等掉电保护方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 55NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LP0108ESF-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP（8x20） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |
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