Datasheet下载- 型号： PZU4.7B3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU4.7B3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU4.7B3,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU4.7B3,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU4.7B3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU4.7B3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PZU4.7B3,115是一款高精度、低功耗的齐纳二极管，标称稳压值为4.7 V（容差±2%，即约4.61–4.79 V），采用小型SOD323封装，最大功率耗散为300 mW，典型动态阻抗低至55 Ω，具有良好的温度稳定性（TCV ≈ ±0.05%/°C）和快速响应特性。 其主要应用场景包括： 1. 电源电压基准与精密稳压：用于LDO或开关电源的反馈网络中，为误差放大器提供稳定参考电压； 2. 过压保护与箝位电路：配合TVS或MOSFET实现I/O端口或敏感模拟输入（如ADC参考引脚、传感器接口）的电压限幅，防止瞬态过压损坏； 3. 信号电平转换与偏置：在低功耗微控制器系统中，为比较器、运放提供精确偏置点或构建简单稳压源； 4. 消费电子与便携设备：因SOD323封装尺寸小（1.7×1.3×0.9 mm）、低漏电流（IR < 100 nA @ 1 V）及AEC-Q200兼容性（部分批次），广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的场景； 5. 工业与汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的非安全关键型稳压需求（需选用符合AEC-Q200认证的版本）。 注意：该器件不适用于大电流稳压（需外加晶体管扩流），也不推荐作为主电源稳压器使用，而更适合作为局部基准、保护或偏置元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU4.7B3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU4.7B3,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3917-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU4.7B3 T/R |
| 齐纳电压 | 4.795 V |
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