Datasheet下载- 型号： PZU36B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU36B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU36B,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU36B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU36B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU36B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU36B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管（Zener Diode），标称稳压值为 36 V（容差 ±5%，典型值），最大功率耗散为 400 mW（SOD-323 封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源系统中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC 参考源）提供稳定基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（通常 <10 mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）辅助电路：与TVS或MOSFET配合，用于检测并触发保护机制（如关断LDO或切断供电），防止后级 IC（如微控制器、通信接口芯片）遭受瞬态高压损伤。 3. 电平钳位与信号限幅：在工业I/O模块或通信线路（如RS-485接收端）中，将信号峰值限制在安全范围内，避免损坏敏感逻辑器件。 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为精密分压/基准元件，提升输出电压精度与负载调整率。 需注意：该器件非高功率器件，不适用于大电流稳压主回路；设计时应确保功耗不超过额定值（建议降额至 250 mW 以下），并考虑环境温度对稳压精度的影响。典型应用需搭配限流电阻，并避免在高频噪声环境中单独使用（建议并联小电容滤波）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 36V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU36B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU36B,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 27V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3909-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 36V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 33 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 60 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU36B T/R |
| 齐纳电压 | 36 V |
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